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产品详情

Si MOS模块系列/半导体硅基MOSFET功率模块

联系人:朱袁正
联系电话:05108562****
企业地址江苏省-无锡市
详细地址无锡市新吴区电腾路6号
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金兰功率半导体(无锡)有限公司是成立于2021年11月22日,位于无锡高新开发区,注册资本为2亿元人民币。公司由无锡新洁能联合上海千凯优投资共同打造。公司拥有强大的技术团队,其成员大多具有十年以上的功率模块研发、生产管理、品质管理经验,部分成员还有海外大厂的工作经历;金兰功率半导体以母公司新洁能在光伏单管国产领域的领先地位为榜样,志在五年内成为国内IGBT模块领先的供应商,期望在光伏行业能成为国内IGBT模块的主要供应商。

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Si MOS模块


金兰半导体推出的硅基MOSFET功率模块,具备低导通电阻、高开关速度、高可靠性等优势。产品电压覆盖40V~650V,电流覆盖20A~500A,可满足中低压、高频、高效率电力转换需求。

电路结构:

提供半桥、全桥、三相桥、斩波电路等多种内部拓扑,适配不同电源转换与控制架构。

产品系列矩阵:
金兰Si MOS模块系列覆盖从低压逻辑电平驱动到中压工业电源的广泛应用场景,可精准匹配各类DC-DC、DC-AC及功率开关应用需求。

金兰半导体硅基MOSFET功率模块,以低损耗、高频率、高性价比为设计目标,助力客户在中低压电源应用中实现更紧凑、更高效的解决方案。



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